特許
J-GLOBAL ID：200903089698842683

半導体ウエハ外周部の加工方法及びその装置

発明者：
佐野 泰久

佐野 泰久 について

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山村 和也

山村 和也 について

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原 英之

原 英之 について

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加藤 武寛

加藤 武寛 について


出願人/特許権者：
国立大学法人大阪大学

国立大学法人大阪大学 について


代理人 (3件)： 柳野 隆生 ,  森岡 則夫 ,  関口 久由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-207866
公開番号（公開出願番号）：特開2009-043969
出願日： 2007年08月09日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：
【課題】 SiCやGaN等の半導体ウエハの外周部のベベリング加工を、プラズマCVMを用いて高能率で行うことができ、しかも半導体ウエハに微小クラックや残留応力等の加工変質層を発生させることがない結晶学的にも優れた半導体ウエハ外周部の加工方法及びその装置を提供する。【解決手段】 半導体ウエハ1の外周部に対して所定のギャップ3を設けてリング電極2を配し、不活性ガスに反応ガスを混合した大気圧近傍のプロセスガスをギャップに供給するとともに、半導体ウエハとリング電極間に高周波電圧を印加して、半導体ウエハの外周部近傍に局在し且つその全周にわたって略均一にプラズマを発生させ、プラズマ中で生成した反応ガスに基づく中性ラジカルと半導体ウエハ外周部を構成する原子とのラジカル反応によって生成した揮発性物質を気化させて除去し、ベベリング加工を行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの外周部に対して所定のギャップを設けてリング電極を配し、不活性ガスに反応ガスを混合した大気圧近傍のプロセスガスを前記ギャップに供給するとともに、前記半導体ウエハとリング電極間に高周波電圧を印加して、前記半導体ウエハの外周部近傍に局在し且つその全周にわたって略均一にプラズマを発生させ、プラズマ中で生成した反応ガスに基づく中性ラジカルと半導体ウエハ外周部を構成する原子とのラジカル反応によって生成した揮発性物質を気化させて除去し、ベベリング加工を行うことを特徴とする半導体ウエハ外周部の加工方法。
IPC (1件)：
H01L 21/306
FI (1件)：
H01L21/302 101E
Fターム (8件)：
5F004BB13 ,  5F004CA02 ,  5F004CA05 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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