特許
J-GLOBAL ID：200903090050901232

読み出し中におけるプログラム外乱による影響の軽減

発明者：
ヘミンク ゲルト ヤン

ヘミンク ゲルト ヤン について


出願人/特許権者：
サンディスク コーポレイション

サンディスク コーポレイション について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-505373
公開番号（公開出願番号）：特表2009-533794
出願日： 2007年03月22日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：
選択されていない(または抑止されている)不揮発性記憶素子を、別の不揮発性記憶素子をプログラムすることを意図するプログラム動作中に、意図せずにプログラミングしてしまうことを「プログラム外乱」と呼ぶ。プログラム外乱による影響を軽減する不揮発性記憶素子をプログラミングおよび/または読み出すシステムを提案する。1つの実施形態では、プログラミングプロセス中に特定のワード線(または他の記憶素子グループ)に対して互いに異なった検証レベルが用いられる。別の実施形態では、読み出しプロセス中に特定のワード線(または他の記憶素子グループ)に対して互いに異なった比較レベルが用いられる。
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリを動作させる方法であって、 ソース選択制御線に隣接する不揮発性記憶素子の第1の集合を、読み出し比較値の第1の集合を用いて読み出すことと、 前記ソース選択制御線に隣接しない不揮発性記憶素子の第2の集合であって、読み出し比較値の前記第1の集合のうちの少なくとも1つが、読み出し比較値の前記第2の集合のうちの対応する比較レベルとは異なる集合を、読み出し比較値の第2の集合を用いて読み出すことと、 を含む方法。
IPC (3件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04
FI (5件)：
G11C17/00 634E ,  G11C17/00 611F ,  G11C17/00 613 ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 641
Fターム (16件)：
5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA19 ,  5B125CA21 ,  5B125CA27 ,  5B125DA02 ,  5B125DA09 ,  5B125DB02 ,  5B125DB09 ,  5B125EA05 ,  5B125EB10 ,  5B125EG16 ,  5B125EG17 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02 ,  5B125FA05
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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