化合物半導体発光素子の低抵抗電極及びそれを用いた化合物半導体発光素子

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出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 齋藤悦子 , 宇谷勝幸 , 藤井敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-371502
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197687
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】化合物半導体発光素子の低抵抗電極及びそれを用いた化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型半導体層、活性層、及びp型半導体層を備える化合物半導体発光素子のp型半導体層上に積層される低抵抗電極は、前記p型半導体層上に積層されて前記活性層から放出される光を反射する反射電極と、熱処理の時の前記反射電極の凝集現象を防止するために前記反射電極上に積層される凝集防止電極と、を含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

n型半導体層、活性層、及びp型半導体層を備える化合物半導体発光素子のp型半導体層上に積層された前記活性層から放出される光を反射する反射電極と、熱処理の時の前記反射電極の凝集現象を防止するために前記反射電極上に配置される凝集防止電極と、を含むことを特徴とする化合物半導体発光素子の低抵抗電極。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 E

Fターム (9件)：

5F041AA03 , 5F041CA40 , 5F041CA82 , 5F041CA84 , 5F041CA86 , 5F041CA87 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA94

引用特許：

審査官引用 (12件)

多層配線構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-266693 出願人：ソニー株式会社
高反射率オーミックコンタクトを有するAlGaInNフリップ・チップ発光デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-095381 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-342998 出願人：松下電工株式会社

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