特許
J-GLOBAL ID：200903092811875519
窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-024163
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224957
出願日： 1998年02月05日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：
【要約】【課題】 II族元素からなる不純物を含むp型窒化物系半導体層を加熱することなく活性化をし、前記p型窒化物系半導体層を持つ窒化物系半導体発光素子とその製造方法を提供すること。【解決手段】 II族元素からなる不純物が相当量含まれているにも関わらず活性化していないp型窒化物系半導体層15、16、17を10W/cm2 以上、500W/cm2 以下のレーザ光を照射して活性化を行った、この際に前記p型窒化物系半導体層にn型の不純物を導入しておくことによりさらに性能が向上した、また、レーザ光の照射のパターニングにより、電流狭窄構造16aの効果が得られ、光の強度を部分的に変えることにより活性化率を変化させ、電流の密度や電界のかかり方をコントロールすることができた前記p型窒化物系半導体層を持つ窒化物系半導体発光素子及びその製造方法。
請求項（抜粋）：
II族元素からなる不純物を含むp型窒化物系半導体層に光を照射することによりII族元素を活性化させる窒化物系半導体発光素子の製造方法において、10W/cm2 以上、500W/cm2 以下のレーザ光を照射することによりII族元素からなる不純物を活性化させることを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。
引用特許：
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