特許
J-GLOBAL ID:200903093624110335
電子デバイス及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
奥田 誠司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-174746
公開番号(公開出願番号):特開2004-085547
出願日: 2003年06月19日
公開日(公表日): 2004年03月18日
要約:
【課題】空洞の天井部を構成する部材の破断を抑制した電子デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の電子デバイスの製造方法は、少なくとも上面がエッチングストップ層(シリコン窒化膜)によって覆われた空洞形成用犠牲層を用意する工程と、エッチングストップ層に少なくとも1つの第1開口部を形成し、空洞形成用犠牲層の表面の一部を露出させる工程と、第1開口部を介して空洞形成用犠牲層をエッチングすることにより、エッチングストップ層の下方に位置する仮空洞と前記エッチングストップ層を支持する支持部とを形成する工程と、前記エッチングストップ層の一部をエッチングすることにより、仮空洞に達する少なくとも1つの第2開口部を前記エッチングストップ層に形成し、前記仮空洞を拡大した最終空洞を形成する工程とを含む。【選択図】 図12
請求項(抜粋):
少なくとも上面がエッチングストップ層によって覆われた空洞形成用犠牲層を用意する工程(a)と、
前記エッチングストップ層に少なくとも1つの第1開口部を形成し、前記空洞形成用犠牲層の表面の一部を露出させる工程(b)と、
前記第1開口部を介して前記空洞形成用犠牲層をエッチングすることにより、前記エッチングストップ層の下方に位置する仮空洞と前記エッチングストップ層を支持する支持部とを形成する工程(c)と、
前記エッチングストップ層の一部をエッチングすることにより、前記仮空洞に達する少なくとも1つの第2開口部を前記エッチングストップ層に形成し、前記仮空洞を拡大した空洞を形成する工程(d)と、
を含む電子デバイスの製造方法。
IPC (3件):
G01J1/02
, G01J5/02
, H01L27/14
FI (3件):
G01J1/02 C
, G01J5/02 C
, H01L27/14 K
Fターム (27件):
2G065AA04
, 2G065AB02
, 2G065BA12
, 2G065BA32
, 2G065CA13
, 2G066BA09
, 2G066BA55
, 2G066BB09
, 4M118AA08
, 4M118AB01
, 4M118BA02
, 4M118BA05
, 4M118CA03
, 4M118CA14
, 4M118CA32
, 4M118CA35
, 4M118CB05
, 4M118CB07
, 4M118CB12
, 4M118CB14
, 4M118DD12
, 4M118EA01
, 4M118FC06
, 4M118FC18
, 4M118GA10
, 4M118GD07
, 4M118GD09
引用特許:
審査官引用 (11件)
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赤外線検出器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-172188
出願人:ヴァイサラオイ
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特開平3-131069
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赤外線センサおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-322816
出願人:株式会社村田製作所
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