特許
J-GLOBAL ID：200903094243462754
不揮発性メモリ素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-395492
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223282
出願日： 2000年12月26日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：
【要約】【課題】本発明は、ONO薄膜及びTa2O5薄膜を用いた素子より大きい充電容量を得ることができ、工程を単純化させることができる不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供するためのものである。【解決手段】本発明にかかる不揮発性メモリ素子は、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたフローティングゲートと、フローティングゲートを覆い、(TaO)1-x(TiO)xNからなる誘電体膜、そして、誘電体膜の上部に形成されたコントロールゲートを備える。
請求項（抜粋）：
半導体基板、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成されたフローティングゲート、前記フローティングゲート上に形成された(TaO)1-x(TiO)xN(0.01≦x≦0.09)からなる誘電体膜、及び、前記誘電体膜の上部に形成されたコントロールゲートを含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子。
IPC (5件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/318
, H01L 27/115
H01L 21/318 C
, H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
