特許
J-GLOBAL ID：200903095839803857

パターン形成方法

発明者：
中村 裕子

中村 裕子 について

, 
小谷 敏也

小谷 敏也 について

, 
田中 聡

田中 聡 について

, 
三本木 省次

三本木 省次 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (22件)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-105171
公開番号（公開出願番号）：特開2008-199054
出願日： 2008年04月14日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：
【課題】複数のレジスト膜を重ね合わせてマスクを形成し、被加工膜を加工する技術において、被加工膜の加工寸法の精度の向上を図る。【解決手段】マトリクス配置されたグリッド点に対して、一部のグリッド点上にコンタクトホールが配置された設計パターンデータを用意する(ステップST11)。全ての前記グリッド点上に第1の開口パターンが配置された第1のマスクパターンデータを用意する(ステップST12)。前記設計パターンデータにおいて、前記コンタクトホールが配置されている前記グリッド点上に第1の開口パターンを含むように配置された第2の開口パターンと、単位格子を構成する四つの前記グリッド点の内、対角上の一対の前記グリッド点上のみにコンタクトホールが配置された一対の前記グリッド点上に配置された第2の開口パターンとが重ね合わされた第2のマスクパターンデータを設計する(ステップST13〜ステップST15)。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被加工膜上に積層された複数のレジスト膜パターンを形成する工程と、 前記積層された複数のレジスト膜パターンをマスクとして被加工膜をエッチングする工程とを含むパターン形成方法において、 後工程において上層にパターンが形成されることにより寸法変動する下層レジスト膜パターンの寸法を、前記下層レジスト膜パターン形成時に、変動分だけ補正することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
H01L21/30 516D ,  G03F7/40 511 ,  H01L21/28 D ,  H01L21/28 L ,  H01L21/90 A
Fターム (17件)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA05 ,  4M104DD07 ,  4M104DD16 ,  4M104DD62 ,  4M104DD71 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ29 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033SS04 ,  5F046AA26 ,  5F046DA02
引用特許：
審査官引用 (11件)
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