特許
J-GLOBAL ID：200903096384653165

レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法

発明者：
野崎 耕司

野崎 耕司 について

, 
小澤 美和

小澤 美和 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-083173
公開番号（公開出願番号）：特開2007-256787
出願日： 2006年03月24日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】レジストパターンの方向、疎密差等に関係なく、しかもレジストパターン厚肉化材料の種類に依存することなく、該レジストパターン厚肉化材料により均一に厚肉化され、露光装置の光源における露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジスト組成物等の提供。【解決手段】本発明のレジスト組成物は、融点を90〜150°Cに有する脂環族化合物と、樹脂とを少なくとも含む。本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に前記レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、該厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む。【選択図】図2A
請求項（抜粋）：
融点を90〜150°Cに有する脂環族化合物と、樹脂とを少なくとも含むことを特徴とするレジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/40 511 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 570
Fターム (25件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  2H025FA33 ,  2H025FA35 ,  2H025FA39 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096BA11 ,  2H096HA05 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (12件)
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