特許
J-GLOBAL ID:200903096464455313
半導体発光素子及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-009659
公開番号(公開出願番号):特開2003-218394
出願日: 2002年01月18日
公開日(公表日): 2003年07月31日
要約:
【要約】【課題】 視野角が大きく、視認性の良好な半導体発光素子を提供する。また、光取り出し効率が高く、視認性の良好な高品質の画像表示装置を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体発光素子は、信号に応じて発光する半導体発光素子であって、光取り出し面となる主面に凹凸形状を有することを特徴とする。また、本発明に係る半導体発光素子の製造方法は、光取り出し面となる主面に凹凸形状を有してなる半導体発光素子の製造方法であって、成長基板上に半導体発光素子を形成し、当該半導体発光素子を上記成長基板から分離するとともに当該半導体発光素子の光取り出し面となる主面に凹凸形状を形成する。
請求項(抜粋):
信号に応じて発光する半導体発光素子であって、光取り出し面となる主面に凹凸形状を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 33/00 C
, G09F 9/33 Z
Fターム (16件):
5C094AA10
, 5C094AA12
, 5C094BA26
, 5C094CA19
, 5C094FA04
, 5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA13
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F041CB36
, 5F041FF06
, 5F041FF11
引用特許:
前のページに戻る