特許
J-GLOBAL ID：200903096527401120
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須藤 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-057111
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245177
出願日： 2005年03月02日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】OTPメモリセルの小型化と製造プロセス・コストの大幅な節減を可能とする。【解決手段】OTPメモリのセルトランジスタのドレイン領域D内にキャパシタの下部電極となる埋め込み層8(BN+)を形成させ、この埋め込み層8上にデータ線DLから印加される所定の電圧によって絶縁破壊され得る膜厚の薄いキャパシタ絶縁膜7a,7bを形成させ、このキャパシタ絶縁膜7a,7b上,フィールド酸化膜2上にキャパシタの上部電極となる導電層10を形成した。また、埋め込み層8(BN+)と高濃度のドレイン領域13(N+)を一部オーバーラップさせた。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
セルトランジスタとキャパシタを含むメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置において、
前記セルトランジスタのゲート電極に電気的に接続されたワード線と、
前記セルトランジスタのドレイン領域内に形成され、キャパシタの下部電極となる埋め込み層と、
前記埋め込み層上に形成されたキャパシタ絶縁膜と、
前記キャパシタ絶縁膜上に形成され、キャパシタの上部電極となる導電層と、
前記導電層に電気的に接続されたデータ線と、
前記データ線から前記キャパシタ絶縁膜に所定の電圧を印加する電圧供給回路とを備え、
前記キャパシタ絶縁膜が絶縁破壊されることによりデータが書き込まれ、
前記キャパシタ絶縁膜が絶縁破壊されているか否かによってデータを読み出すことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F083CR14
, 5F083GA09
, 5F083JA36
, 5F083JA39
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083PR36
出願人引用 (3件)
審査官引用 (10件)
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