多層体及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-512644
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526905
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2003年09月09日
要約：

【要約】本発明は、多層体及びそのような多層体の製造方法に関する。その方法では、バッファ層又は超伝導体層などの下地層の表面を最初にコンディショニングし、次にバッファ、超伝導体又はキャップ層などの別の材料の層をコンディショニング表面上に成膜する。コンディショニング表面は高品質表面であることができる。この方法によって形成される超伝導体品は、比較低高い臨界電流密度を示すことができる。コンディショニングでは、ガス又は液体の薬剤を用いる熱的及び/又は化学的処理を行う。

請求項（抜粋）：

コンディショニング表面を形成すべく第1の材料層の表面を化学的にコンディショニングする工程と、前記第1の材料が、バッファ材料及び超伝導体材料から選択される材料からなることと、前記コンディショニング表面上に第2の材料層を成膜する工程とを有する多層体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 39/24 ZAA , H01B 13/00 565 , H01B 12/06

FI (3件)：

H01L 39/24 ZAA B , H01B 13/00 565 D , H01B 12/06

Fターム (24件)：

4M113AD35 , 4M113AD36 , 4M113AD40 , 4M113AD68 , 4M113BA04 , 4M113BA08 , 4M113BA11 , 4M113BA14 , 4M113BA22 , 4M113BA23 , 4M113BA29 , 4M113BC16 , 4M113CA34 , 5G321AA01 , 5G321AA04 , 5G321CA20 , 5G321CA24 , 5G321CA27 , 5G321CA28 , 5G321CA32 , 5G321DB25 , 5G321DB33 , 5G321DB46 , 5G321DB47

引用特許：

審査官引用 (17件)

特開平4-021597
酸化物超電導導体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-081155 出願人：株式会社フジクラ, 中部電力株式会社
特開平4-300292

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