半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高野昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-070988
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281453
出願日： 2007年03月19日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】電流ヒステリシス特性が良好で順方向ゲートリークを低減させることができるガリウムナイトライド系電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】ゲート絶縁膜108を有するガリウムナイトライド系電界効果トランジスタ100において、ゲート絶縁膜108を構成する材料の一部もしくは全部が、比誘電率9以上22以下の誘電体であり、ゲート絶縁膜108に接する半導体結晶層A104と、半導体結晶層A104に近接して、半導体結晶A104よりも大きな電子親和力を有する半導体結晶層B103から構成されるヘテロ接合を有している。ゲート絶縁膜108を構成する材料の少なくとも一部に、HfO2 、HfAlO、HfAlON、又はHfSiO等の酸化ハフニウムを含むようにするのが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜を有するガリウムナイトライド系電界効果トランジスタであって、該ゲート絶縁膜に接する半導体結晶層Aと、該半導体結晶Aよりも大きな電子親和力を有しており該半導体結晶層Aに近接して設けられた半導体結晶層Bとから構成されるヘテロ接合を有しており、該ゲート絶縁膜を構成する材料の一部もしくは全部が比誘電率9以上22以下の誘電体であることを特徴とする半導体電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L29/80 H , H01L21/316 X

Fターム (43件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BE10 , 5F058BF02 , 5F058BF06 , 5F058BF07 , 5F058BF12 , 5F058BF17 , 5F058BF20 , 5F058BF37 , 5F058BH01 , 5F058BJ01 , 5F102FA02 , 5F102GA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL09 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR09 , 5F102GT10 , 5F102HC01 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-047510 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
窒化物含有半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-207409 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-294264 出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ

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