特許
J-GLOBAL ID：200903063329430801

半導体装置およびその製造方法

発明者：
金村 雅仁

金村 雅仁 について

, 
多木 俊裕

多木 俊裕 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-059380
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245317
出願日： 2005年03月03日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】 III-V族窒化物半導体からなる半導体装置に関して、ゲートリーク電流を低減すると共に、III-V族窒化物半導体とゲート絶縁膜との良好な界面を実現する。【解決手段】 III-V族窒化物半導体からなる半導体装置であって、III-V族窒化物半導体からなる半導体層111-114と、前記半導体層111-114表面に形成されたゲート絶縁膜121と、前記ゲート絶縁膜121上に形成されたゲート電極133とを備え、前記ゲート絶縁膜121は、Ta(タンタル)酸化物,Hf(ハフニウム)酸化物,HfAl(ハフニウムアルミニウム)酸化物,La(ランタン)酸化物,又はY(イットリウム)酸化物からなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III-V族窒化物半導体からなる半導体装置であって、 III-V族窒化物半導体からなる半導体層と、 前記半導体層表面に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備え、 前記ゲート絶縁膜は、 Ta(タンタル)酸化物, Hf(ハフニウム)酸化物, HfAl(ハフニウムアルミニウム)酸化物, La(ランタン)酸化物, 又はY(イットリウム)酸化物からなる半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 29/78
FI (2件)：
H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G
Fターム (19件)：
5F140AA24 ,  5F140BA06 ,  5F140BA16 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF06 ,  5F140BG36 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ06 ,  5F140BK26 ,  5F140BK37 ,  5F140BK38 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CE02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (13件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM