特許
J-GLOBAL ID：200903098788816800

化学増幅レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
山本 源

山本 源 について

, 
村上 健一

村上 健一 について

, 
武智 敏

武智 敏 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-111740
公開番号（公開出願番号）：特開2002-311587
出願日： 2001年04月10日
公開日（公表日）： 2002年10月23日
要約：
【要約】【課題】 酸に対して反応性が高く酸感応性物質の保護基の脱離が容易に進行し、且つ感度の向上した化学増幅レジスト組成物を提供すること。【解決手段】 分子内(同一骨格内)にアセタール部位と、酸により脱離する部位とを併せ持つ化合物を使用する。好ましくは、この化合物は、当該アセタール部位と当該酸により脱離する部位を、酸の存在下での反応により最終的に環構造を形成できる位置に有する。この化合物は、化学増幅レジスト組成物に添加剤として添加してもよく、あるいは化学増幅レジスト組成物を構成するベース樹脂自身をそのような化合物としてもよく、後者の場合、アセタール部位と酸により脱離する部位はベース樹脂の一つの繰り返し単位内に存在するようにする。
請求項（抜粋）：
酸の存在下で反応するベース樹脂と、露光により酸を発生する光酸発生剤と、分子内にアセタール部位と酸により脱離する部位とを併せ持つ化合物とを含む化学増幅レジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F220/12 ,  C08F232/04 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F220/12 ,  C08F232/04 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (38件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AF01Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA20Q ,  4J100BA20R ,  4J100BB18P ,  4J100BC09P ,  4J100BC53H ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100HA61 ,  4J100HE22 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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