半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-021919
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244212
出願日： 2005年01月28日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】本発明は、消費電力を極力抑制することで電源の安定化を実現する半導体装置の提供を課題とする。【解決手段】本発明の半導体装置は、ロジック部、メモリ部、ロジック部とメモリ部の一方又は両方の動作頻度を検出する検出部、検出部の検出結果に基づきロジック部及びメモリ部の一方又は両方にしきい値制御信号を供給するしきい値制御部及びアンテナを有する。ロジック部とメモリ部の各々は複数のトランジスタを有しており、複数のトランジスタの各々は、論理信号が入力される第1のゲート電極と、しきい値制御信号が入力される第2のゲート電極と、半導体膜とを有する。半導体膜は第2のゲート電極上に設けられ、第1のゲート電極は半導体膜上に設けられる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ロジック部、メモリ部、前記ロジック部と前記メモリ部の一方又は両方の動作頻度を検出する検出部、前記検出部の検出結果に基づき前記ロジック部及び前記メモリ部の一方又は両方にしきい値制御信号を供給するしきい値制御部及びアンテナを有し、前記ロジック部と前記メモリ部の各々は複数のトランジスタを有し、前記複数のトランジスタの各々は、論理信号が入力される第1のゲート電極と、前記しきい値制御信号が入力される第2のゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/822 , G06K19/07 , H01L27/04

FI (2件)：

H01L27/04 F , G06K19/00 H

Fターム (10件)：

5B035CA13 , 5B035CA23 , 5F038DF01 , 5F038DF02 , 5F038DF04 , 5F038DF05 , 5F038DF08 , 5F038DF17 , 5F038EZ07 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-165961 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (10件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-071806 出願人：三菱電機株式会社
半導体集積回路装置及びマイクロコンピュータ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-071136 出願人：株式会社日立製作所
集積回路上のホット・スポットを回避するための論理回路及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-182006 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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