特許
J-GLOBAL ID:200903095399804554
電力制御装置及び方法並びに電力制御プログラムを記録した記録媒体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉村 暁秀 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-221676
公開番号(公開出願番号):特開2002-041160
出願日: 2000年07月24日
公開日(公表日): 2002年02月08日
要約:
【要約】【課題】 CMOS半導体回路の実時間処理を最適な消費電力で行う。【解決手段】 しきい値電圧制御回路7は、ハードウェア3に含まれるCMOS半導体回路のNMOS素子及びPMOS素子のしきい値電圧をそれぞれ制御する。プロセッサ1は、2以上の動作速度に対応する2以上のモードに従ってしきい値電圧を動的に制御するよう電圧制御回路2にソフトウェアによってコマンドを送信する。
請求項(抜粋):
NMOS素子及びPMOS素子を有するCMOS半導体集積回路の電力を制御する電力制御装置であって、前記NMOS素子及び/又はPMOS素子のしきい値電圧をそれぞれ制御するしきい値電圧制御手段と、2以上の動作速度にそれぞれ対応する2以上のモードに従ってしきい値電圧を動的に制御するよう前記しきい値電圧制御手段にコマンドをソフトウェアによって送信するしきい値電圧設定手段とを具えることを特徴とする電力制御装置。
IPC (5件):
G05F 3/24
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
FI (3件):
G05F 3/24 Z
, H01L 27/04 B
, H01L 27/08 321 D
Fターム (36件):
5F038BB02
, 5F038BB08
, 5F038BB10
, 5F038DF04
, 5F038DF05
, 5F038DF08
, 5F038EZ10
, 5F038EZ20
, 5F048AB03
, 5F048AB08
, 5F048AB10
, 5F048AC03
, 5F048BB14
, 5F048BB15
, 5H420BB12
, 5H420BB14
, 5H420CC02
, 5H420DD02
, 5H420EA14
, 5H420EA24
, 5H420EA42
, 5H420EA43
, 5H420EB16
, 5H420EB26
, 5H420EB37
, 5H420GG07
, 5H420NA00
, 5H420NB02
, 5H420NB14
, 5H420NB18
, 5H420NB25
, 5H420NB31
, 5H420NB37
, 5H420NC33
, 5H420NC35
, 5H420NE26
引用特許:
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