特許
J-GLOBAL ID：201003011970685098
光電変換装置および光電変換装置の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-125340
公開番号（公開出願番号）：特開2010-010667
出願日： 2009年05月25日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：
【課題】光電変換装置の高効率化と生産性向上の両立を図る。【解決手段】半導体接合を有するセルを備え、当該セルは、一導電型の第1不純物半導体層と、一導電型とは逆導電型の第2不純物半導体層と、第1不純物半導体層と第2不純物半導体層との間を貫通する結晶領域を非晶質構造の中に含む半導体層と、を有する光電変換装置とする。結晶領域を含む半導体層は、半導体材料ガスに対して希釈ガスの流量比を1倍以上10倍未満、好ましくは1倍以上6倍以下として反応空間に導入してプラズマを生成し、成膜する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体接合を有するセルを備え、
前記セルは、
一導電型を付与する不純物元素を含む第1不純物半導体層と、
前記一導電型とは逆導電型を付与する不純物元素を含む第2不純物半導体層と、
前記第1不純物半導体層と前記第2不純物半導体層との間を貫通する結晶を非晶質構造の中に含む半導体層と、
を有することを特徴とする光電変換装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F051AA05
, 5F051CA03
, 5F051CA09
, 5F051CA15
