特許
J-GLOBAL ID:201003046136195219
リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
稲葉 良幸
, 大貫 敏史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-132706
公開番号(公開出願番号):特開2010-034516
出願日: 2009年06月02日
公開日(公表日): 2010年02月12日
要約:
【課題】基板及びリソグラフィ装置の性能に関する物理的特性を迅速に検出する。【解決手段】概ね第一方向に延在する少なくとも1本の線によって形成された延在パターンの特性を検出する。延在パターンは、基板又は基板テーブル上に形成され、好ましくは線の幅の少なくとも50倍の長さにわたって延在する。検出方法は、基板テーブルを第一方向に移動させ、その第一方向xに沿って延在パターンの特性を測定することを含む。特性は、第一方向に対して直角の第二方向yにおける延在パターンの物理的特性の結果である。次のステップでは、延在パターンの測定位置から基板テーブル位置の較正を導出することができる。【選択図】図4
請求項(抜粋):
略第一方向に延在し且つそれぞれが1つ又は複数のフィーチャを備える1本又は複数の線によって形成された延在パターンの特性を測定する方法であって、
センサと、前記延在パターンを備えるオブジェクトを支持する支持構造との相対位置を変化させることによって、前記第一方向に沿った異なる位置で前記延在パターンの特性をセンサで測定するために、1つ又は複数のフィーチャを使用することを含む方法。
IPC (4件):
H01L 21/027
, G03F 7/20
, G01B 11/00
, H01L 21/68
FI (5件):
H01L21/30 515G
, H01L21/30 503A
, G03F7/20 521
, G01B11/00 G
, H01L21/68 F
Fターム (33件):
2F065AA03
, 2F065BB02
, 2F065FF44
, 2F065FF48
, 2F065HH04
, 2F065MM02
, 2F065MM11
, 2F065MM21
, 2F065PP12
, 2F065QQ25
, 2F065QQ29
, 2F065RR06
, 5F031CA02
, 5F031CA07
, 5F031HA12
, 5F031HA53
, 5F031JA02
, 5F031JA06
, 5F031JA07
, 5F031JA14
, 5F031JA17
, 5F031JA32
, 5F031JA45
, 5F031JA51
, 5F031KA06
, 5F031KA20
, 5F031MA27
, 5F031PA02
, 5F046AA17
, 5F046CC01
, 5F046CC03
, 5F046CC13
, 5F046CC16
引用特許:
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