特許

J-GLOBAL ID：201003046371170509

有機薄膜トランジスタ

発明者： 青森 繁 ,  北村 雅季 ,  荒川 泰彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-309618
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135542
出願日： 2008年12月04日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：

【課題】ゲート絶縁層に対する密着性が良好で、且つ有機半導体層との間の寄生抵抗が低いソース電極とドレイン電極とを有する有機薄膜トランジスタを実現する。【解決手段】本発明の有機薄膜トランジスタは、絶縁性基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層とを備える有機薄膜トランジスタであり、上記ソース電極と絶縁性基板若しくはゲート絶縁層との間、及び上記ドレイン電極と絶縁性基板若しくはゲート絶縁層との間に、金を主成分とした合金からなる密着層をそれぞれ備え、上記ソース電極及びドレイン電極は金からなり、上記密着層は、金の含有量が、67原子%以上97原子%以下の範囲内である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層とを備える有機薄膜トランジスタであり、 上記ソース電極と絶縁性基板若しくはゲート絶縁層との間、及び上記ドレイン電極と絶縁性基板若しくはゲート絶縁層との間に、金を主成分とした合金からなる密着層をそれぞれ備え、 上記ソース電極及びドレイン電極は金からなり、 上記密着層は、金の含有量が、67原子%以上97原子%以下の範囲内であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 51/05

FI (8件)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L21/88 Q ,  H01L29/28 100A

Fターム (75件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB25 ,  4M104BB38 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD53 ,  4M104DD63 ,  4M104DD68 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  4M104HH09 ,  4M104HH15 ,  5F033GG01 ,  5F033GG03 ,  5F033HH13 ,  5F033HH27 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK03 ,  5F033LL02 ,  5F033LL09 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ41 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW02 ,  5F033XX09 ,  5F033XX14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-078396   出願人：株式会社東芝
• 有機薄膜集積回路の製造方法、及び、電界効果型トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-412154   出願人：ソニー株式会社
• 金属単層膜形成方法、配線形成方法、及び、電界効果型トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-319557   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (5件)

• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-139692   出願人：株式会社リコー
• 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-261997   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 有機半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-307219   出願人：日本電信電話株式会社, パイオニア株式会社, 株式会社日立製作所, 三菱化学株式会社, ローム株式会社
• 半導体装置の製造方法、半導体装置および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-262528   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-304164   出願人：ゼロックスコーポレイション