特許
J-GLOBAL ID：201003051348994395

表示装置

発明者：
西村 悦子

西村 悦子 について

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若木 政利

若木 政利 について

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鬼沢 賢一

鬼沢 賢一 について

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松村 三江子

松村 三江子 について

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高橋 卓也

高橋 卓也 について

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鈴木 孝明

鈴木 孝明 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (2件)： 井上 学 ,  戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-252131
公開番号（公開出願番号）：特開2010-087068
出願日： 2008年09月30日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：
【課題】 良好な特性を有するスタガ型の多結晶Si-TFT構造と、ディスプレイの大型化に有利な低抵抗配線構造を両立でき、低コストで高画質の表示装置を提供する。【解決手段】 マトリックス状に配置された複数の画素を駆動するTFTをスタガ型の多結晶Si-TFTで構成し、該TFTのチャネルを形成する多結晶Si層4より下層に位置する電極配線2を、希土類元素を添加元素として含むAl合金からなる第一の合金層2aと、希土類元素と高融点金属とAlとの合金からなり、前記第一の層の上層に位置する第二の合金層2bとの積層構造とすることで、多結晶Si形成時の高温に耐え得る低抵抗配線構成とした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
マトリックス状に配置された複数の画素と、この画素を駆動するTFTを有する表示装置であって、 前記TFTは、絶縁基板上に、ゲート電極,絶縁膜,半導体層,ソース電極及びドレイン電極をこの順で配置した逆スタガ型のTFTであり、 前記TFTは、前記ゲート電極に接続するゲート配線と、前記ソース電極及びドレイン電極に接続するドレイン配線を有し、 前記ゲート電極及び前記ゲート配線は、前記TFTの前記半導体層よりも前記絶縁基板側に配置され、 前記ゲート電極及び前記ゲート配線は、前記絶縁基板側から順に、希土類元素のうちの少なくとも1つを添加元素として含むAl合金からなる第一の合金層、希土類元素のうちの少なくとも1つと高融点金属のうちの少なくとも1つとAlとの合金からなる第二の合金層、が積層配置された表示装置。
IPC (11件)：
H01L 29/786 ,  G09F 9/30 ,  G02F 1/134 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (15件)：
H01L29/78 617M ,  G09F9/30 338 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L21/88 N
Fターム (121件)：
2H092GA59 ,  2H092JA26 ,  2H092JA40 ,  2H092JA46 ,  2H092JB24 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA29 ,  2H092NA15 ,  2H092NA16 ,  2H092NA28 ,  2H092PA06 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  3K107FF14 ,  3K107HH05 ,  4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104DD88 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH02 ,  4M104HH03 ,  5C094AA14 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094FB02 ,  5C094JA01 ,  5F033GG04 ,  5F033HH10 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM14 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ69 ,  5F033QQ73 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW02 ,  5F033WW04 ,  5F033XX06 ,  5F033XX16 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE12 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF22 ,  5F110FF25 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK18 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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