半導体発光素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-225453
公開番号（公開出願番号）：特開2010-062274
出願日： 2008年09月03日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：

【課題】発光層で生じた光を効率良く外部に取り出すことができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】n型半導体層と、p型半導体層と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、前記n型半導体層に接続され、銀及び銀合金の少なくともいずれかを含む第1の電極と、前記p型半導体層に接続された第2の電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型半導体層と、p型半導体層と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、前記n型半導体層に接続され、銀及び銀合金の少なくともいずれかを含む第1の電極と、前記p型半導体層に接続された第2の電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/32 , H01L 33/36

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01L33/00 E

Fターム (24件)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041AA11 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA48 , 5F041CA57 , 5F041CA58 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA84 , 5F041CA86 , 5F041CA87 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041CB15 , 5F041DA03 , 5F041DA09 , 5F041DA34 , 5F041DA36 , 5F041DA78 , 5F041EE25

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-193085 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (9件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-222640 出願人：日亜化学工業株式会社
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-253157 出願人：京セラ株式会社
半導体部材及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-002972 出願人：三菱化学株式会社, 国立大学法人山口大学

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