特許
J-GLOBAL ID：200903008243052803
発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-253157
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067257
出願日： 2005年09月01日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】 フリップチップ実装方式の発光素子において、光取り出し面から外部に放射される光は、厚いn型窒化ガリウム系化合物半導体層での伝搬における光吸収が多いため、光取出し効率が低下するという問題があった。【解決手段】 発光素子は、n型層400c、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層400a及びp型層400bが積層された半導体層400を有し、p型層400b上に形成されたp側電極401と、p型層400bの一部をn型層400cまで除去してなるn型層400cの露出部に形成されたn側電極403とが設けられ、実装用基板にフリップチップ実装方式で実装されるとともに、半導体層400のn型層400c側の主面から光が外部に放射される発光素子において、半導体層400はn型層400c側の主面からn型層400cの内部にかけて縦断面形状が楔状の凹部405が形成されている。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
n型窒化ガリウム系化合物半導体層、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層及びp型窒化ガリウム系化合物半導体層を含むとともにこの順でこれらの層が積層されている半導体層を有し、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成されたp側電極と、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層まで除去してなる前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層の露出部に形成されたn側電極とが設けられており、前記p側電極及び前記n側電極が実装用基板の配線導体にフリップチップ実装方式で電気的に接続されるとともに、前記半導体層の前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層側の主面から光が外部に放射される発光素子において、前記半導体層は、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層側の主面から前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層の内部にかけて縦断面形状が楔状の凹部が形成されていることを特徴とする発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA92
, 5F041CB15
, 5F041DA09
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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