特許
J-GLOBAL ID：201003060585552681
不揮発性半導体記憶装置とその書き込み方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 川端 純市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-270937
公開番号（公開出願番号）：特開2010-102751
出願日： 2008年10月21日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：
【課題】ベリファイ処理の回数を低減し、プログラムに必要な時間を短縮する。【解決手段】複数の状態に対応する互いに異なる複数のしきい値電圧を各メモリセルに設定することにより多値の状態を記録する不揮発性のメモリセルアレイへの書き込みを制御する不揮発性半導体記憶装置において、所定のプログラム開始電圧からプログラム電圧を所定の増分電圧だけ順次増加させながらベリファイして上記メモリセルをプログラムするときに、前に行ったプログラムにおけるベリファイ処理がパスしたときのプログラムパルス数に基づいて、上記プログラム開始電圧を決定して設定しプログラムする。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
複数の状態に対応する互いに異なる複数のしきい値電圧を各メモリセルに設定することにより多値の状態を記録する不揮発性のメモリセルアレイと、上記メモリセルアレイへの書き込みを制御する制御回路とを備えた不揮発性半導体記憶装置において、
上記制御回路は、所定のプログラム開始電圧からプログラム電圧を所定の増分電圧だけ順次増加させながらベリファイして上記メモリセルをプログラムするときに、前に行ったプログラムにおけるベリファイ処理がパスしたときのプログラムパルス数に基づいて、上記プログラム開始電圧を決定して設定しプログラムすることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G11C17/00 611E
, G11C17/00 641
, G11C17/00 611A
, G11C17/00 633D
5B125BA02
, 5B125BA19
, 5B125CA01
, 5B125CA14
, 5B125CA27
, 5B125DB08
, 5B125DB12
, 5B125DB14
, 5B125DB18
, 5B125DB19
, 5B125DE13
, 5B125DE14
, 5B125DE17
, 5B125EA05
, 5B125EE04
, 5B125EF02
, 5B125EF03
, 5B125EJ02
, 5B125FA01
, 5B125FA02
, 5B125FA06
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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