特許
J-GLOBAL ID：201003064235379087
集束電極一体型電界放出素子及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-218897
公開番号（公開出願番号）：特開2010-055907
出願日： 2008年08月28日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
【課題】現実的に作製可能な構造原理をもってエミッタから放出される電子ビームを十分に集束する機能を呈することができる集束電極一体型電界放出素子提案する。【解決手段】基板10上に、先端11tpが先鋭な電子放出端となっているエミッタ11と、エミッタ先端11tpを露呈する開口を有する絶縁膜12と、この絶縁膜12上に形成され、エミッタ先端11tpを露呈する開口を有する引き出しゲート電極13を形成し、引き出しゲート電極13上には集束電極積層構造20を形成する。集束電極積層構造20は、一層の絶縁膜25,26,27,28と、その上に形成された一層の集束電極21,22,23,24とを単位積層段として、この単位積層段を基板10の鉛直方向に沿って少なくとも四段積層して構成される。最下段に位置する単位積層段の絶縁膜25は引き出しゲート電極13の上に形成されていると共に、全ての単位積層段の絶縁膜25,26,27,28及び集束電極21,22,23,24には、エミッタ先端11tpを露呈する開口を開ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に設けられ、先端が先鋭な電子放出端となっているエミッタと,該基板上に設けられ、該エミッタ先端を露呈する開口を有する絶縁膜と,該絶縁膜の上に形成され、該エミッタ先端を露呈する開口を有する引き出しゲート電極と,該引き出しゲート電極の上に形成された集束電極積層構造と,を含んで成り;
上記集束電極積層構造は、一層の絶縁膜と、その上に形成された一層の集束電極とを単位積層段として、該単位積層段を上記基板の鉛直方向に沿って少なくとも四段以上の複数段に積層して構成され、最下段に位置する単位積層段の上記絶縁膜は上記引き出しゲート電極の上に形成されていると共に、全ての単位積層段の上記絶縁膜及び上記集束電極には上記エミッタ先端を露呈する開口が開けられていること;
を特徴とする集束電極一体型電界放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
5C127BB12
, 5C127CC03
, 5C127CC35
, 5C127DD08
, 5C127DD55
, 5C127DD56
, 5C127EE05
, 5C127EE15
, 5C135AA02
, 5C135AB12
, 5C135EE13
, 5C135HH05
, 5C135HH15
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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引用文献：
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