特許
J-GLOBAL ID：201003078625669370
導電性窒化物半導体基板並びにその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-241906
公開番号（公開出願番号）：特開2010-070430
出願日： 2008年09月22日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：
【課題】 反りが少なくクラックが発生しない導電性の窒化物半導体結晶基板及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 下地基板の上に、幅或いは直径sが10μm〜100μmであるドット被覆部或いはストライプ被覆部を間隔wが250μm〜10000μmであるように並べたマスクを形成し、HVPE法によって成長温度が1040°C〜1150°Cであって、5/3族比bが1〜10であるような3族、5族原料ガスと、Siを含むガスとを供給することによって下地基板の上に窒化物半導体結晶を成長させ、下地基板を除去することによって、比抵抗rが0.0015Ωcm≦r≦0.01Ωcm、厚みが100μm以上、反りの曲率半径Uが3.5m≦U≦8mの自立した導電性窒化物半導体基板を得る。 【選択図】図22
請求項（抜粋）：
C面或いは3回対称面を有する下地基板の上に、幅或いは直径sが10μm〜100μm、間隔wが250μm〜10000μmの周期的に繰り返す被覆部、露呈部を形成し、HVPE法により、基板温度が1040°C〜1150°Cであって、5/3族比bが1〜10であるような3族、5族原料ガスと、シリコン化合物ガス、水又は酸素とを供給し、下地基板の上にファセットFを表面に持つ窒化物半導体結晶をシリコンと酸素をドーピングしながら成長させ、露呈部にはファセットFに続く低欠陥単結晶領域Zと平坦面に続くC面成長領域Yを、被覆部の上には結晶欠陥集合領域Hを形成し、ファセットFを通し酸素とシリコンを、C面を通してシリコンをドーピングし、内部にHZYZHZYZ...構造を持つ窒化物半導体結晶を成長させ、成長後に下地基板を除去し、表面を研磨して、クラック発生率Kが1%≦K≦22%の自立したn型窒化物半導体結晶を得る事を特徴とする導電性窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (28件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077AB06
, 4G077AB10
, 4G077BE15
, 4G077DB04
, 4G077EA02
, 4G077EB01
, 4G077EC09
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE07
, 4G077FJ03
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA01
, 4G077TA04
, 4G077TA07
, 4G077TA08
, 4G077TB02
, 4G077TC02
, 4G077TC06
, 4G077TK01
, 4G077TK06
, 4G077TK08
, 4G077TK11
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (3件)
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