特許
J-GLOBAL ID：201003081571407759

成膜装置及び成膜方法

発明者：
加藤 寿

加藤 寿 について

, 
本間 学

本間 学 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-222728
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056470
出願日： 2008年08月29日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
【課題】基板の表面に複数の反応ガスを順番に供給して積層された反応生成物の薄膜を形成するにあたり、高いスループットが得られ、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる成膜装置等を提供する。【解決手段】成膜装置は回転方向に沿って複数の基板Wを載置する回転テーブル2を備え、分離領域Dは各反応ガスが供給される第1の処理領域P1と第2の処理領域P2との雰囲気を分離するために、これらの処理領域P1、P2の間に設けられている。第1の排気路63a及び第2の排気路63bはこれらの処理領域P1、P2の雰囲気を互いに独立して排気するために各々第1の真空排気手段64a、第2の真空排気手段64bと接続されている。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
真空容器内の回転テーブル上に基板を載置して互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番にこの回転テーブル上の基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置において、 前記回転テーブルの回転方向に互いに離れて設けられ、前記回転テーブルにおける基板の載置領域側の面に夫々第1の反応ガス及び第2の反応ガスを供給するための第1の反応ガス供給手段及び第2の反応ガス供給手段と、 前記第1の反応ガスが供給される第1の処理領域と第2の反応ガスが供給される第2の処理領域との雰囲気を分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に設けられ、分離ガス供給手段から分離ガスを供給するための分離領域と、 前記分離ガス供給手段の前記回転方向両側に位置し、前記分離領域から処理領域側に分離ガスが流れるための狭隘な空間を回転テーブルとの間に形成するための天井面と、 前記第1の処理領域と第2の処理領域との雰囲気を分離するために真空容器内の中心部に位置し、回転テーブルの基板載置面側に分離ガスを吐出する吐出孔が形成された中心部領域と、 前記回転テーブルの回転中心から見て前記第1の処理領域とこの第1の処理領域に対して回転方向下流側に隣接する分離領域との間にその排気口が位置する第1の排気路と、 前記回転テーブルの回転中心から見て前記第2の処理領域とこの第2の処理領域に対して回転方向下流側に隣接する分離領域との間にその排気口が位置する第2の排気路と、 前記第1の排気路内及び前記第2の排気路内を互いに独立して排気するために当該第1の排気路及び前記第2の排気路に夫々接続された第1の真空排気手段及び第2の真空排気手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/458 ,  C23C 16/44
FI (4件)：
H01L21/31 B ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/44 E
Fターム (33件)：
4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030KA02 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045BB08 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045EB08 ,  5F045EE12 ,  5F045EE14 ,  5F045EF01 ,  5F045EG01 ,  5F045EG05 ,  5F045EG07 ,  5F045EM10 ,  5F045HA22
引用特許：
出願人引用 (17件)
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