松田時宜

Matsuda Tokiyoshi

所属機関・部署：

研究分野 (5件)：無機材料、物性 , 電子デバイス、電子機器 , 薄膜、表面界面物性 , 環境材料、リサイクル技術 , 環境負荷低減技術、保全修復技術

研究キーワード (4件)：センサー , パワーデバイス , 酸化物半導体 , 格子欠陥

競争的資金等の研究課題 (8件)：

全件表示

論文 (144件)：

MISC (64件)：

特許 (101件)：

講演・口頭発表等 (9件)：

Development of Oxide Semiconductor
((SID South Taiwan Student Division) 2023)
Relationships between the Defects and Electrical Properties of Oxide Semiconductor
(CMOSETR 2016)
Low temperature deposition of SiO<sub><i>x</sub></i> insulator film with newly developed facing electrodes chemical vapor deposition
(International Conference on Small Science 2015 (ICSS 2015) 2015)
(12) SID’15 Display week 2015 報告(AMDセッション)
(SID報告会 2015)
Comparison of Defects in Oxide Semiconductor Evaluated by ESR
(Energy Materials and Nanotechnology, Qingdao 2015)

経歴 (15件)：

全件表示

委員歴 (2件)：

2023/01 - 現在 IEEE EDS 関西チャプターセクレタリー
2011/10 - 現在 INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE -MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES- (AM-FPD) Program committee

受賞 (6件)：

2011/05 - 社団法人映像情報メディア学会丹羽高柳賞「論文賞」 (共著者として) 有機光導電膜とZnO TFT回路の積層構造を用いた有機撮像デバイスの原理実証実験
2010/11 - Thin Film Materials and Devices Meeting (Japanese) Best Paper Award (Presenter) Fabrication of ZnO thin film phosphor and induced luminescence center
2010/11 - 薄膜材料デバイス研究会ベストペーパーアワード(発表者) ZnO薄膜蛍光体の形成と発光中心導入過程
2010/01 - Journal of Vacuum Science and Technology, A 15 th place Top 20 Most Downloaded Articles, January 2010 Crystallinity and Resistivity of ZnO thin films with indium implantation and post annealing
2006/12 - 13th International Display Workshops 06 (IDW06) Poster Paper Award (Co-author) Low-Temperature Synthesis of SiO2 Insulator by ICP-CVD Using Tetramethylsilane

全件表示

所属学会 (3件)：

AM-FPD , IEEE , 応用物理学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

松田 時宜