特許
J-GLOBAL ID：201103007105333313
コンデンサーの下部電極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-112000
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307076
特許番号：特許第3662767号
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 以下のステップに特徴があるコンデンサーの下部電極の製造方法:基板上に第1誘電体層を形成し、前記第1誘電体層上にキャップ層を形成し、前記キャップ層上に第2誘電体層を形成し、前記第2誘電体層、キャップ層および第1誘電体層を貫通するノードコンタクトホールを形成し、化学気相成長法により前記基板上にコンフォーマル層を形成し、前記コンフォーマル層の一部を除去して前記ノードコンタクトホールの側壁上にライナー層を形成するとともに、前記コンフォーマル層の一部を除去するためのエッチングガスを第2誘電体層の表面と反応させて抑制層を形成し、前記抑制層の一部の上にパターン形成された導体層を形成して前記ノードコンタクトホールを満たし、前記パターン形成された導体層上に選択性半球状粒子層を形成する。
IPC (5件)：
H01L 21/8242
, H01L 21/205
, H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 27/108
H01L 27/10 621 B
, H01L 21/205
, H01L 27/04 C
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (5件)
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