特許
J-GLOBAL ID：201103020112718685
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187018
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015697
特許番号：特許第3762148号
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上の第1の絶縁膜上に下部電極材及びダミー膜を順次堆積する工程と、
前記ダミー膜を所定形状に加工する工程と、
前記ダミー膜をマスクに前記下部電極材をエッチングし、下部電極を形成する工程と、
前記半導体基板上に前記ダミー膜を覆うように第2の絶縁膜を形成する工程と、
第2の絶縁膜の表面を後退させて、前記ダミー膜の表面を露出させる工程と、
前記ダミー膜を除去して前記下部電極を露出させると共に、側壁が第2の絶縁膜からなる溝を形成する工程と、
前記半導体基板上に、その上面が前記第2の絶縁膜の上面と同一のレベルとなるように前記溝を埋める強誘電体膜を堆積する工程と、
前記強誘電体膜上に上部電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
H01L 27/10 444 C
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
