特許
J-GLOBAL ID：201103026641096310
遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
小栗 昌平
, 市川 利光
, 高松 猛
, 萩野 平
, 深沢 敏男
, 添田 全一
, 本多 弘徳
, 濱田 百合子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146775
公開番号（公開出願番号）：特開2000-338674
特許番号：特許第3547047号
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】(イ)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、ならびに(ロ)下記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素構造を含む基のうち少なくとも1つで保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位、下記一般式(II)で表される繰り返し単位及び下記一般式(III)で示される基を有する繰り返し単位(但し、α-又はβ-メタクリロイロキシ-γ-ブチロラクトンの重合単位を除く)を含み、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。;;化1::一般式(pI)〜(pVI)中;R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。R22、R23及びR25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、R24は炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。;;化2::一般式(II)中;R1は、水素原子、ハロゲン原子又は1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。R2〜R4は、各々独立に、水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2〜R4のうち少なくとも1つは、水酸基を表す。;;化3::一般式(III)中;Ra〜Reは各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個のアルキル基を表す。m、nは、各々独立に0から3の整数を表し、m+nは、2以上6以下である。
IPC (3件)：
G03F 7/039
, C08F 8/12
, C08L 33/06
G03F 7/039 601
, C08F 8/12
, C08L 33/06
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (14件)
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