特許
J-GLOBAL ID：201103028579385710

半導体発光素子

発明者：
佐藤 俊一

佐藤 俊一 について

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高橋 孝志

高橋 孝志 について

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軸谷 直人

軸谷 直人 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110548
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307195
特許番号：特許第4100817号
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に、光を発生する活性層と光を閉じ込めるクラッド層とを有するヘテロ接合が形成されている半導体発光素子において、 活性層はAsを含んでいる(AlxGa1-x)αIn1-αPtAs1-t(0≦x<1、0<α1≦1、0≦t<1)からなり、 クラッド層は活性層よりバンドギャップが大きくGaPとGaAsとの間の格子定数を有するAlを含んだ(AlyGa1-y)βIn1-βPvAs1-v(0<y≦1、0.5<β<1、0<v≦1)からなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01S 5/343 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01S 5/343
引用特許：
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (14件)
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