特許
J-GLOBAL ID：201103028833383278
位相シフトマスク及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-075435
公開番号（公開出願番号）：特開2000-267255
特許番号：特許第3531666号
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 透明基板上に1層の半透明膜及び遮光膜をこの順に成膜し、次いで厚膜部分と薄膜部分とからなるレジスト膜のパターンを形成する工程と、前記レジスト膜のパターンの両側壁側に沿う2つの遮光膜領域をエッチングすると共に、露出した半透明膜をそれぞれエッチングして2つの基板領域を形成する工程と、前記レジスト膜の薄膜部分を除去して下地の遮光膜をエッチングし、露出した半透明膜を浅くエッチングして、エッチングされた半透明膜とこの半透明膜の側壁側に沿う一方の基板領域とを透過する露光光の位相が相互に180°反転するような厚さにする工程と、得られた透明基板上にレジスト膜のパターンを形成し、所定パターンを有する半透明膜の両側壁側に沿う他方の基板領域を露出させる工程と、この他方の基板領域と、一方の基板領域及び半透明膜のパターンのエッチングしていない部分とを透過する露光光の位相が相互に180°反転するように露出した他方の基板領域をエッチングして凹部を形成し、透明基板上に、1層の半透明膜からなる所定パターンを有し、このパターンの両側壁側に沿う2つの基板領域をそれぞれ透過する露光光の位相が相互に180°反転するように、一方の基板領域に凹部を有し、かつ前記パターンが、その半透明膜の厚さを、前記パターンの一方の基板領域側と一方の基板領域自体、及びその他の基板領域側と他方の基板領域自体をそれぞれ透過する露光光の位相が180°反転するように、2つの基板領域側で異にする位相シフトマスクを得る工程とからなる位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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