特許
J-GLOBAL ID：201103045493076270

半導体記憶装置及びデータバス制御方法

発明者：
鈴木 孝章

鈴木 孝章 について

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藤岡 伸也

藤岡 伸也 について

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佐藤 靖治

佐藤 靖治 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155474
公開番号（公開出願番号）：特開2000-057769
特許番号：特許第4000233号
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 少なくとも1つのメモリセルアレイを有し、かつ第1のデータバスに接続された複数のバンクを有する半導体記憶装置において、 前記バンクは、 前記第1のデータバスに接続し、各バンクに対してそれぞれ別個に設けられた第2のデータバスと、 各バンクに供給されるコマンドによって示される情報に対応して、各バンクへの第2のデータバスからのデータ入力処理を含む書込み処理又は各バンクからの第2のデータバスへのデータ出力処理を含む読出し処理を制御する制御部と、を有し、 前記制御部はデータ読出し処理実行中の第1のデータバスの空白期間を利用してデータ書込み処理を実行することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 11/407 ( 200 6.01) ,  G11C 11/4096 ( 200 6.01) ,  G11C 11/401 ( 200 6.01) ,  G11C 11/41 ( 200 6.01)
FI (6件)：
G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 354 R ,  G11C 11/34 362 H ,  G11C 11/34 362 C ,  G11C 11/34 362 Z ,  G11C 11/34 K
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (3件)
  • 同期型半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-227996   出願人：三菱電機株式会社
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-056130   出願人：株式会社日立製作所
  • 特開平4-085789

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