特許
J-GLOBAL ID：201103046647783132

電力用半導体素子の製造方法

発明者：
野澤 正信

野澤 正信 について

, 
中澤 治雄

中澤 治雄 について


出願人/特許権者：
富士電機システムズ株式会社

富士電機システムズ株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-330029
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134441
特許番号：特許第4617559号
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】裏面に加工工程を有する薄型基板より成る電力用半導体素子の製造方法において、 前記基板表面に加工を施した後、前記基板裏面への電極用の裏面金属膜蒸着に先だって前記基板表面に表面保護用のテープを貼り付け、前記基板裏面側よりダイシングラインに沿って前記基板に切れ目を入れる第1のダイシングを施し、 前記裏面金属膜蒸着実施後、前記基板表面保護用のテープを取り除き、前記ダイシングラインに沿って前記基板を切断する第2のダイシングを行なう工程を有することを特徴とする電力用半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/301 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/78 Q ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 29/78 658 Z
引用特許：
出願人引用 (12件)
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