特許
J-GLOBAL ID:201103063609954804

絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜およびそれに用いる化合物の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 本多 一郎 ,  杉本 由美子 ,  篠田 淳郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-231970
公開番号(公開出願番号):特開2011-079917
出願日: 2009年10月05日
公開日(公表日): 2011年04月21日
要約:
【課題】水蒸気中における焼成工程での収縮が小さく、シリカ被膜の亀裂や半導体基板との剥離が発生しにくい絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜およびそれに用いる化合物の製造方法を提供する。【解決手段】1H-NMRスペクトルにおいて、SiH3基に由来する4.3〜4.5ppmのピーク面積に対する、SiH1基とSiH2基とに由来する4.5〜5.3ppmのピーク面積の比が、4.2〜50である無機ポリシラザンと、有機溶媒とを有する絶縁膜形成用塗布液である。絶縁膜は、上記絶縁膜形成用塗布液を用いて得る。無機ポリシラザンは、ジハロシラン化合物、トリハロシラン化合物、又はこれらの混合物と塩基とを反応させてアダクツを形成した後、アダクツの溶液または分散液にアンモニアを-50〜-1°Cにて反応させることにより得る。【選択図】図3
請求項(抜粋):
1H-NMRスペクトルにおいて、SiH3基に由来する4.3〜4.5ppmのピーク面積に対する、SiH1基とSiH2基とに由来する4.5〜5.3ppmのピーク面積の比が、4.2〜50である無機ポリシラザンと、有機溶媒とを含有することを特徴とする絶縁膜形成用塗布液。
IPC (7件):
C08G 77/62 ,  C08L 83/16 ,  C09D 183/16 ,  C09D 5/25 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/314 ,  C09D 7/12
FI (7件):
C08G77/62 ,  C08L83/16 ,  C09D183/16 ,  C09D5/25 ,  H01L21/316 G ,  H01L21/314 A ,  C09D7/12
Fターム (32件):
4J002CP211 ,  4J002GQ01 ,  4J002HA05 ,  4J038DL171 ,  4J038JA16 ,  4J038JA31 ,  4J038JA32 ,  4J038JA35 ,  4J038JA53 ,  4J038KA06 ,  4J038MA07 ,  4J038MA14 ,  4J038NA21 ,  4J246AA10 ,  4J246AB01 ,  4J246AB05 ,  4J246BB08X ,  4J246BB080 ,  4J246BB082 ,  4J246CA01X ,  4J246CA010 ,  4J246FA151 ,  4J246FA321 ,  4J246FA431 ,  4J246FB221 ,  4J246FB231 ,  4J246HA63 ,  5F058BA06 ,  5F058BA09 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46
引用特許:
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (12件)
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引用文献:
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