特許
J-GLOBAL ID：201103073130085645

BaxSr1-xTiO3-αスパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者：
鈴木 了

鈴木 了 について

, 
小田 国博

小田 国博 について

, 
宮下 博仁

宮下 博仁 について


出願人/特許権者：
株式会社日鉱マテリアルズ

株式会社日鉱マテリアルズ について


代理人 (1件)： 小越 勇
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056704
公開番号（公開出願番号）：特開2000-256837
特許番号：特許第3749631号
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】スパッタリング法を用いてBaxSr1-xTiO3-α(0≦x≦1、0.02<α<0.05)組成の誘電膜を基板上に成膜するためのターゲットであって、4端針法で測定した比抵抗が50mΩcm以下であり、且つターゲット内の比抵抗値のばらつきが5mΩcm以下であることを特徴とするBaxSr1-xTiO3-αスパッタリングターゲット。
IPC (6件)：
C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  C04B 35/46 ( 200 6.01) ,  H01L 27/10 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 21/203 ( 200 6.01)
FI (5件)：
C23C 14/34 A ,  C04B 35/46 C ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 21/203 S
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (8件)
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