特許
J-GLOBAL ID：201103090708490884
光電変換装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
田中 重光
, 石川 新
, 鈴江 武彦
, 河野 哲
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
, 風間 鉄也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-069249
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167289
特許番号：特許第3905906号
出願日： 2005年03月11日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 透光性又は不透光性基板上に透明導電膜層を介して形成される、p層,i層及びn層からなるpin型又はnip型構造発電膜、さらに別の電極層を具備した光電変換装置の製造方法において、
上記p層,i層及びn層すべてあるいは少なくともi層を結晶性Si薄膜で構成し、該結晶性Si薄膜のX線回折スペクトル特性を描き、その各結晶粒の基板に対する配向方位に関する体積分布をとった場合に、方位<110>に極大値をもち、方位<110>から15°以上に傾いた方位に配向した結晶粒の体積が方位<110>における体積の半分以下であれば、前記結晶性Si薄膜は良質であると判断することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L 31/04 V
, H01L 31/04 B
, H01L 31/04 W
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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