特許
J-GLOBAL ID：201103097336070144
結晶性Si薄膜の評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 風間 鉄也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-384761
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188398
特許番号：特許第3727879号
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 透光性又は不透光性基板上に透明導電膜層を介して形成される、p層,i層及びn層からなるpin型又はnip型構造発電膜、さらに別の電極層を具備した光電変換装置における発電膜のうち、p層,i層及びn層すべてあるいは少なくともi層は結晶性Si薄膜で構成され、その各結晶粒の基板に対する配向方位に関する体積分布をとった場合に、方位<110>に極大値をもち、方位<110>から15°以上に傾いた方位に配向した結晶粒の体積が方位<110>における体積の半分以下となる製膜条件を特定する、製膜中又は製膜後の結晶性Si薄膜を評価する方法であり、 前記結晶性Si薄膜のうち少なくともi層の方位<110>に、前記Si薄膜主面に対する入射X線の入射角をθとしたとき、入射角θが0<θ<(2×Bragg角)で回折強度のピーク値を持つか否かにより結晶性Si薄膜の良否を判断することを特徴とする結晶性Si薄膜の評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 X
, H01L 21/66 N
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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