特許
J-GLOBAL ID：201203016258507872

ウェハレベルアンダーフィル組成物およびそれを用いた半導体装置製造方法

発明者：
発地 豊和

発地 豊和 について

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伊澤 有希

伊澤 有希 について

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曽根 裕美

曽根 裕美 について

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今井 一成

今井 一成 について

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鈴木 理

鈴木 理 について


出願人/特許権者：
ナミックス株式会社

ナミックス株式会社 について


代理人 (2件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-264977
公開番号（公開出願番号）：特開2012-119358
出願日： 2010年11月29日
公開日（公表日）： 2012年06月21日
要約：
【課題】Bステージ化した後、常温に戻した段階でのタック値が低く、リフロー時の温度域での溶融粘度が低く、Bステージ化した後の透明性に優れたウェハレベルアンダーフィル組成物およびそれを用いた半導体装置製造方法の提供。 【解決手段】(A)結晶性エポキシ樹脂、(B)結晶性フェノール樹脂、(C)有機酸、(D)硬化触媒、および、(E)溶剤よりなり、前記(A)結晶性エポキシ樹脂として、ナフタレン骨格を有するものを含むことを特徴とするウェハレベルアンダーフィル組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)結晶性エポキシ樹脂、(B)結晶性フェノール樹脂、(C)有機酸、(D)硬化触媒、および、(E)溶剤よりなり、前記(A)結晶性エポキシ樹脂として、ナフタレン骨格を有するものを含むことを特徴とするウェハレベルアンダーフィル組成物。
IPC (5件)：
H01L 21/60 ,  C08G 59/20 ,  C08G 59/62 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4件)：
H01L21/60 311S ,  C08G59/20 ,  C08G59/62 ,  H01L23/30 R
Fターム (22件)：
4J036AC01 ,  4J036AC02 ,  4J036AC03 ,  4J036AF05 ,  4J036AF06 ,  4J036DB06 ,  4J036DB16 ,  4J036DC41 ,  4J036DC46 ,  4J036FA10 ,  4J036FB06 ,  4J036FB07 ,  4J036FB08 ,  4J036GA28 ,  4J036JA07 ,  4J036KA01 ,  4M109CA04 ,  4M109EA02 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  5F044LL11 ,  5F044RR17
引用特許：
審査官引用 (12件)
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