特許
J-GLOBAL ID：201203023596406638
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-066672
公開番号（公開出願番号）：特開2012-204542
出願日： 2011年03月24日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
要約：
【課題】上側のメモリセルと下側のメモリセルとの間におけるデータリテンションのばらつきを低減できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】第1のメモリセルMC111は、第1のラインWL11の半導体基板SBと反対側に配されている。第2のラインBL11は、第1のメモリセルMC111を介して第1のラインWL11に交差する。第2のメモリセルMC211は、第2のラインBL11の半導体基板SBと反対側に配されている。第3のラインWL21は、第2のメモリセルMC211を介して第2のラインBL11に交差する。第1のメモリセルMC111は、第1の抵抗変化層R111と第1の整流層D111とを有する。第1の抵抗変化層R111は、カーボン系の材料で形成されている。第2のメモリセルMC211は、第2の抵抗変化層R211と第2の整流層D211とを有する。第2の抵抗変化層R211は、金属酸化物で形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板上に配置された第1のラインと、
前記第1のラインの前記半導体基板と反対側に配された第1のメモリセルと、
前記第1のメモリセルを介して前記第1のラインに交差する第2のラインと、
前記第2のラインの前記半導体基板と反対側に配された第2のメモリセルと、
前記第2のメモリセルを介して前記第2のラインに交差する第3のラインと、
を備え、
前記第1のメモリセルは、カーボン系の材料で形成された第1の抵抗変化層と、第1の整流層とを有し、
前記第2のメモリセルは、金属酸化物で形成された第2の抵抗変化層と、第2の整流層とを有する、
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
, H01L 51/30
, H01L 51/05
H01L27/10 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
, H01L29/28 250E
, H01L29/28 100B
5F083FZ10
, 5F083GA10
, 5F083GA21
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083LA21
, 5F083PR40
