特許
J-GLOBAL ID：201203043591485450

半導体装置

発明者：
佐々木 俊成

佐々木 俊成 について

, 
野田 耕生

野田 耕生 について

, 
遠藤 佑太

遠藤 佑太 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-013833
公開番号（公開出願番号）：特開2012-169612
出願日： 2012年01月26日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
要約：
【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。【解決手段】n型酸化物半導体膜中にp型酸化物半導体材料を含ませることで酸化物半導体膜中に意図せずに生じるキャリアを低減することができる。これは、n型酸化物半導体膜中の意図せずに生じた電子が、p型酸化物半導体材料中に生じたホールと再結合することにより、消滅するためである。従って、酸化物半導体膜中に意図せずに生じるキャリアを低減することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、 ゲート絶縁膜と、 一対の電極と、 前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と少なくとも一部が重畳し、かつ前記一対の電極と少なくとも一部が接するp型酸化物半導体材料を含むn型酸化物半導体膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  C23C 14/08
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  C23C14/08 K
Fターム (83件)：
4K029BA17 ,  4K029BA45 ,  4K029BA46 ,  4K029BA47 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB10 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029GA01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110BB08 ,  5F110BB10 ,  5F110BB12 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE12 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF06 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (8件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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