電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-231352
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084781
出願日： 2010年10月14日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：

【課題】本発明は、トランジスタ特性の再現性が高く、高速でパワーの大きい電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】ダイヤモンド基板11と、前記ダイヤモンド基板11の一面11a側に離間して形成された第2の電極13及び第3の電極14と、2つの電極13、14の間に離間して形成された第1の電極15と、を有する電界効果トランジスタであって、第1の電極15とダイヤモンド基板11との間にIII族窒化物半導体層12が設けられ、ダイヤモンド基板11とIII族窒化物半導体層12との界面17の近傍領域に正孔伝導チャネル領域16が形成されている電界効果トランジスタ10を用いることによって前記課題を解決できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド基板と、前記ダイヤモンド基板の一面側に離間して形成された第2の電極及び第3の電極と、前記2つの電極の間に離間して形成された第1の電極と、を有する電界効果トランジスタであって、前記第1の電極と前記ダイヤモンド基板との間にIII族窒化物半導体層が設けられ、前記ダイヤモンド基板と前記III族窒化物半導体層との界面の近傍領域に正孔伝導チャネル領域が形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/28 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L29/80 H , H01L21/28 301B , H01L21/205

Fターム (43件)：

4M104AA07 , 4M104AA10 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD68 , 4M104DD79 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD16 , 5F045AD17 , 5F045AD18 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GS02 , 5F102GS07 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC15 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (8件)

電子電界効果デバイス及びそれらの製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-546060 出願人：エレメントシックスリミテッド
GaN系半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-246113 出願人：古河電気工業株式会社
III族窒化物電子デバイス、III族窒化物電子デバイスのための積層体ウエハ、およびIII族窒化物電子デバイスを作製する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-182438 出願人：住友電気工業株式会社

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