半導体装置と半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：高田守 , 高橋英樹 , 久野淑己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-012325
公開番号（公開出願番号）：特開2012-156207
出願日： 2011年01月24日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：

【課題】本発明は、コレクタ層のキャリア濃度ピーク位置におけるキャリア濃度を下げつつ、当該キャリア濃度が製造環境雰囲気による汚染の影響を受けづらい半導体装置と半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本願の発明にかかる半導体装置は、キャリア濃度が最大となるキャリア濃度ピーク位置が表面から1μm以上離れた位置にあるコレクタ層を有する半導体基板と、該コレクタ層の表面に接するように形成されたコレクタ電極と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

キャリア濃度が最大となるキャリア濃度ピーク位置が表面から1μm以上離れた位置にあるコレクタ層を有する半導体基板と、前記コレクタ層の表面に接するように形成されたコレクタ電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 29/12 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 655C , H01L29/78 652L , H01L29/78 652T , H01L29/78 658A

引用特許：

出願人引用 (10件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-312389 出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-262499 出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-049032 出願人：富士電機株式会社

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審査官引用 (10件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-312389 出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-262499 出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-049032 出願人：富士電機株式会社

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