特許
J-GLOBAL ID：201203073815614494

基板検査方法及び装置

発明者：
石井 隆嗣

石井 隆嗣 について

, 
下田 勇一

下田 勇一 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 高橋 浩三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-133137
公開番号（公開出願番号）：特開2011-257304
出願日： 2010年06月10日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：
【課題】マスク基板に対して洗浄加工を行なった場合の洗浄加工後にマスク基板に残る欠陥が洗浄加工プロセスによるものなのか、マスク基板自体の内部欠陥によるものなかを容易に判定する。【解決手段】第1及び第2の受光手段に受光された散乱光に基づいて基板の両面(表面及び裏面)に存在する欠陥を検出することができるので、基板の洗浄加工の前後で両面の欠陥の存在位置をそれぞれ比較することによって、洗浄加工によって基板両面に存在していた欠陥が除去されたか否かを容易に判定することができる。すなわち、基板の洗浄加工処理によって基板から所定数の欠陥が除去されなかった場合には、マスク基板の内部に欠陥が存在する可能性が高いので、基板内部の欠陥の検出処理行い。その結果に基づいて洗浄加工によって除去できなかった欠陥が基板内部の欠陥であるのか、洗浄加工プロセスの問題によるものかを容易に判定することができるようになる。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
光線の一部が基板の表面で反射され、その残りの光線が前記基板の内部へ透過するような角度で前記基板の表面へ光線を斜めに照射しながら、前記光線を移動させながら前記基板の走査を行い、 前記基板の表面側に配置され、前記光線が前記基板の欠陥によって散乱された散乱光を第1のレンズ手段で集光して第1の受光手段にて受光し、 前記基板の裏面側に配置され、前記光線が前記基板の欠陥によって散乱された散乱光を第2のレンズ手段で集光して第2の受光手段にて受光し、 前記第1及び第2の受光系手段が受光した散乱光に基づいた信号から前記基板の欠陥の存在位置を検出し、 検出された前記欠陥の存在位置を前記基板の洗浄加工の前後で比較し、その比較結果に応じて前記基板の再洗浄加工を行なうか否かを決定することを特徴とする基板検査方法。
IPC (4件)：
G01N 21/958 ,  G01N 21/896 ,  G01B 11/30 ,  G03F 1/08
FI (4件)：
G01N21/958 ,  G01N21/896 ,  G01B11/30 Z ,  G03F1/08 S
Fターム (41件)：
2F065AA49 ,  2F065BB02 ,  2F065CC18 ,  2F065FF41 ,  2F065GG04 ,  2F065HH08 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ08 ,  2F065JJ17 ,  2F065LL02 ,  2F065LL10 ,  2F065LL12 ,  2F065LL15 ,  2F065LL22 ,  2F065MM16 ,  2F065MM28 ,  2F065QQ23 ,  2F065QQ25 ,  2G051AA42 ,  2G051AB06 ,  2G051AB07 ,  2G051BA10 ,  2G051BA11 ,  2G051BB09 ,  2G051BB11 ,  2G051BC06 ,  2G051CA02 ,  2G051CA07 ,  2G051CB05 ,  2G051CC07 ,  2G051CC09 ,  2G051CC17 ,  2G051DA06 ,  2G051EA08 ,  2G051EB01 ,  2G051EC01 ,  2H095BD02 ,  2H095BD04 ,  2H095BD05 ,  2H095BD13 ,  2H095BD15
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (6件)
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