特許
J-GLOBAL ID：201303020523544020

半導体装置

発明者：
米田 誠一

米田 誠一 について

, 
王丸 拓郎

王丸 拓郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-259580
公開番号（公開出願番号）：特開2013-138191
出願日： 2012年11月28日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
要約：
【課題】酸化物半導体層の上下にゲート電極を有するトランジスタを、他の酸化物半導体層の上下にゲート電極を有するトランジスタと少なくとも一部を重畳する半導体装置において、当該半導体装置の歩留まりを高める。【解決手段】酸化物半導体層の上下にゲート電極を有する第1のトランジスタと、当該第1のトランジスタに少なくとも一部を重畳して設けられた酸化物半導体層の上下にゲート電極を有する第2のトランジスタと、を有し、第1のトランジスタおよび第2のトランジスタの第2のゲート電極として機能する導電膜を共通化した半導体装置である。なお、第2のゲート電極は、第1のトランジスタおよび第2のトランジスタのVthを制御するだけではなく、第1のトランジスタおよび第2のトランジスタそれぞれの第1のゲート電極から印加される電界の干渉を低減する効果も奏する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のゲート電極、および前記第1のゲート電極と少なくとも一部が重畳する第2のゲート電極を有する酸化物半導体膜を用いた第1のトランジスタと、 前記第1のトランジスタに少なくとも一部を重畳して設けられた前記第2のゲート電極、および前記第2のゲート電極と少なくとも一部が重畳する第3のゲート電極を有する酸化物半導体膜を用いた第2のトランジスタと、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108
FI (6件)：
H01L29/78 617N ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 619A ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 671C
Fターム (86件)：
5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA28 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB06 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD08 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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