特許
J-GLOBAL ID：201303036476604829

半導体装置および半導体装置の作製方法

発明者：
遠藤 佑太

遠藤 佑太 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-261025
公開番号（公開出願番号）：特開2013-138196
出願日： 2012年11月29日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
要約：
【課題】自己整合プロセスにより作製可能であり、かつ低抵抗であるソース電極およびドレイン電極を有する半導体装置およびその作製方法を提供することを目的の一とする。また、良好な電気的特性を維持しつつ、微細化を達成した半導体装置およびその作製方法を提供することを目的の一とする。【解決手段】絶縁表面上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に導電膜を成膜する。該導電膜の一部に化学的機械研磨等の除去処理を行い、ゲート絶縁膜が露出するようにし、ゲート電極と重畳しないソース電極およびドレイン電極を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に設けられたゲート電極と、 前記ゲート電極を覆っているゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極を挟み、前記ゲート電極の上面と重畳しないソース電極およびドレイン電極と、 前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重畳して設けられ、かつ、前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくとも一部が接する酸化物半導体膜と、を有する半導体装置。
IPC (15件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/08 ,  H01L 27/088
FI (19件)：
H01L29/78 617A ,  H01L29/78 627A ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 381 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 615 ,  H01L27/10 671C ,  H01L27/10 671Z ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 441 ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/78 616M
Fターム (191件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA05 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD28 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104DD75 ,  4M104FF02 ,  4M104FF06 ,  4M104FF09 ,  4M104FF11 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF21 ,  4M104FF26 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104HH05 ,  4M104HH10 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F083AD02 ,  5F083AD10 ,  5F083AD14 ,  5F083AD69 ,  5F083BS01 ,  5F083BS13 ,  5F083BS27 ,  5F083EP22 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083EP75 ,  5F083GA02 ,  5F083GA03 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083GA19 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083GA29 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083JA58 ,  5F083LA02 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA21 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR09 ,  5F083PR22 ,  5F083PR29 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F083ZA20 ,  5F101BA17 ,  5F101BB17 ,  5F101BD07 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD35 ,  5F101BD39 ,  5F101BD40 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BF02 ,  5F101BF03 ,  5F101BF08 ,  5F101BF09 ,  5F101BH16 ,  5F101BH19 ,  5F101BH26 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB11 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD06 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF28 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HK42 ,  5F110HM14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (12件)
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