特許
J-GLOBAL ID：201303040909619769

基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体

発明者：
吉原 孝介

吉原 孝介 について

, 
田中 啓一

田中 啓一 について

, 
一ノ宮 博

一ノ宮 博 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-000562
公開番号（公開出願番号）：特開2013-140881
出願日： 2012年01月05日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
要約：
【課題】微細かつ高アスペクト比の回路パターンが形成される基板の現像処理後の洗浄処理において、基板表面の液ちぎれの防止と回路パターンのパターン倒れの防止を図れるようにした基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体を提供する。【解決手段】回路パターンPが形成された半導体ウエハWの中心部からウエハの周縁に洗浄液Lを供給してウエハの表面全体に液膜を形成し、ウエハを回転させながら、洗浄液の供給に追従してウエハの表面中心部からウエハの周縁に向かってガスGを吐出してウエハの表面の洗浄液を除去して乾燥領域を形成する。次いで、ウエハを回転させながら、ウエハの径方向に移動してガスGを吐出して乾燥領域の回路パターン間に残存する液を除去する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
回路パターンが形成された基板の表面を洗浄する基板洗浄方法であって、 上記基板を水平に保持し、上記基板の中心軸回りに回転させながら基板表面の中心部から基板の周縁に洗浄液を供給して上記基板の表面全体に液膜を形成する工程と、 上記基板を回転させながら、上記洗浄液の供給に追従して上記基板の表面中心部から基板の周縁に向かってガスを吐出して基板の表面の洗浄液を除去して乾燥領域を形成する第1乾燥工程と、 上記基板を回転させながら、上記基板の径方向に移動して上記乾燥領域の上記回路パターン間に残存する液を除去する第2乾燥工程と、を具備することを特徴とする基板洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  H01L 21/304
FI (6件)：
H01L21/30 569C ,  H01L21/30 569F ,  H01L21/304 651L ,  H01L21/304 651B ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 648H
Fターム (25件)：
5F146LA03 ,  5F146LA04 ,  5F146LA14 ,  5F146LA19 ,  5F157AA64 ,  5F157AA67 ,  5F157AA92 ,  5F157AB02 ,  5F157AB13 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC02 ,  5F157AC03 ,  5F157AC26 ,  5F157BB22 ,  5F157CB03 ,  5F157CB15 ,  5F157CE24 ,  5F157CE41 ,  5F157CE51 ,  5F157DB02 ,  5F157DB18 ,  5F157DB22 ,  5F157DB32 ,  5F157DB37
引用特許：
審査官引用 (10件)
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