特許
J-GLOBAL ID:201303057778082187
圧電体素子及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松浦 憲三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-239245
公開番号(公開出願番号):特開2013-080886
出願日: 2011年10月31日
公開日(公表日): 2013年05月02日
要約:
【課題】複数の圧電体薄膜を積層して形成される積層体における膜の密着性を高めて剥離を防止し、耐久性、信頼性の高い圧電体素子を提供する。【解決手段】圧電体素子(10)は、基板(12)上に、第1の電極(14)が形成され、その上に第1の圧電体膜(16)が形成される。さらに第1の圧電体膜(16)の上に金属酸化物膜(18)が積層され、金属酸化物膜(18)の上に金属膜(20)が積層して形成される。金属膜(20)の上に第2の圧電体膜(22)が形成され、その上に第2の電極(24)が積層して形成される。金属酸化物膜(18)と金属膜(20)を積層してなる中間層(26)の厚みと応力値の積が100N/m2未満であることが好ましい。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板と、
前記基板上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極の上に積層して形成された第1の圧電体膜と、
前記第1の圧電体膜の上に積層して形成された金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜の上に積層して形成された金属膜と、
前記金属膜の上に積層して形成された第2の圧電体膜と、
前記第2の圧電体膜の上に積層して形成された第2の電極と、
を備えたことを特徴とする圧電体素子。
IPC (9件):
H01L 41/08
, H01L 41/18
, H01L 41/187
, H01L 41/22
, H01L 41/09
, H01L 41/113
, B41J 2/16
, B41J 2/045
, B41J 2/055
FI (11件):
H01L41/08
, H01L41/18 101Z
, H01L41/18 101B
, H01L41/22 Z
, H01L41/18 101D
, H01L41/18 101C
, H01L41/08 C
, H01L41/08 Z
, H01L41/08 B
, B41J3/04 103H
, B41J3/04 103A
Fターム (14件):
2C057AF93
, 2C057AG44
, 2C057AG47
, 2C057AG55
, 2C057AG92
, 2C057AG93
, 2C057AG94
, 2C057AM16
, 2C057AP14
, 2C057AP31
, 2C057AP52
, 2C057AQ02
, 2C057BA04
, 2C057BA14
引用特許:
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示
前のページに戻る