特許
J-GLOBAL ID：201303066208827862
シード層の形成方法及びシリコン含有薄膜の成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-237987
公開番号（公開出願番号）：特開2013-095945
出願日： 2011年10月28日
公開日（公表日）： 2013年05月20日
要約：
【課題】 薄膜の面内均一性の更なる向上を可能とする、薄膜を形成するためのシード層の形成方法を提供すること。【解決手段】 下地上に、薄膜のシードとなるシード層を形成するシード層の形成方法であって、アミノシラン系ガスを用いて、下地上に、アミノシラン系ガスに含まれた少なくともシリコンを吸着させる工程(ステップ11)と、ジシラン以上の高次シラン系ガスを用いて、アミノシラン系ガスに含まれた少なくともシリコンが吸着された下地上に、ジシラン以上の高次シラン系ガスに含まれた少なくともシリコンを堆積する工程(ステップ12)と、を具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下地上に、薄膜のシードとなるシード層を形成するシード層の形成方法であって、
(1) アミノシラン系ガスを用いて、前記下地上に、前記アミノシラン系ガスに含まれた少なくともシリコンを吸着させる工程と、
(2) ジシラン以上の高次シラン系ガスを用いて、前記アミノシラン系ガスに含まれた少なくともシリコンが吸着された前記下地上に、前記ジシラン以上の高次シラン系ガスに含まれた少なくともシリコンを堆積する工程と、
を具備することを特徴とするシード層の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (34件)：
4K030AA06
, 4K030AA10
, 4K030AA13
, 4K030AA20
, 4K030BA09
, 4K030BA29
, 4K030BA30
, 4K030BB01
, 4K030BB03
, 4K030BB05
, 4K030BB13
, 4K030FA10
, 4K030HA01
, 4K030JA01
, 4K030LA15
, 5F045AA06
, 5F045AA15
, 5F045AB01
, 5F045AB03
, 5F045AB04
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AC19
, 5F045AD08
, 5F045AE19
, 5F045AE21
, 5F045AF03
, 5F045AF08
, 5F045BB02
, 5F045CB02
, 5F045DA53
, 5F045DA61
