特許
J-GLOBAL ID：201303068952077483
透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製装置及び作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
萩原 康司
, 金本 哲男
, 亀谷 美明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-070579
公開番号（公開出願番号）：特開2013-205017
出願日： 2012年03月27日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
要約：
【課題】集束イオンビーム加工によるイオン照射ダメージを導入することなく、鉄鋼材料の磁性の影響の小さい透過電子顕微鏡用微小薄膜試料を作製する装置および方法を提供する。【解決手段】予め電解研磨を施した薄膜試料3において、電子ビームを照射して二次電子像を観察しながら、可動プローブ9の先端に備えた薄膜部材8を観察箇所に移動して、薄膜部材8で集束イオンビームを遮蔽しつつ、薄膜試料3を集束イオンビームで加工することにより、イオン照射によるダメージを観察箇所に導入することなく、鉄鋼材料の磁性の影響が小さな透過電子顕微鏡用微小薄膜試料3aを得る。微小薄膜試料3aは、第2の可動プローブ10に蒸着膜12により固着され、摘出される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
真空に排気された試料室を有する透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製装置であって、
上記試料室内で薄膜試料を載置して移動可能な試料ステージと、
上記試料ステージに載置された薄膜試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射光学系と、
上記試料ステージに載置された薄膜試料に電子ビームを照射する電子ビーム照射光学系と、
上記集束イオンビームおよび電子ビームの照射によって発生する二次電子を検出する二次電子検出器と、
上記二次電子検出器にて検出した二次電子強度から二次電子像を表示する画像表示装置と、
上記薄膜試料の一部を集束イオンビームの照射から遮蔽するための薄膜部材を備えた第1の可動プローブと、
上記試料ステージに載置された薄膜試料に集束イオンビームを照射して切り出した微小薄膜試料を移送するための第2の可動プローブと、
上記微小薄膜試料を切り出す際に上記第2の可動プローブと上記微小薄膜試料を固着するための原料ガスを供給するガスデポジション機構と、
を備えることを特徴とする透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
G01N1/28 N
, G01N1/28 F
, G01N1/28 G
2G052AA12
, 2G052CA46
, 2G052EC13
, 2G052EC18
, 2G052FD06
, 2G052GA34
